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KVR16LS11 / 4 4GB 1Rx8 512M x 64-Bit PC3L-12800 CL11 204-Pin SODIMM DESCRIPCIÓN Este documento describe ValueRAM 512M x 64 bits (4 GB) DDR3L-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, baja Voltaje, módulo de memoria, basado en ocho 512M x 8-bit FBGA Componentes. El SPD está programado para el estándar JEDEC Latencia DDR3-1600 de 11-11-11 a 1.35V o 1.5V. Esta 204-pin SODIMM utiliza dedos de contacto de oro. El sistema eléctrico y Las especificaciones mecánicas son las siguientes: CARACTERISTICAS * Norma JEDEC 1.35V (1.28V ~ 1.45V) y 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Fuente de alimentación *VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) y 1.5V (1.425V ~ 1.575V) * 800MHz fCK para 1600Mb / sec / pin * 8 bancos internos independientes *Latencia de CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5 *Latencia del aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 *Pre-fetch de 8 bits *Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con arranque Dirección "000" solamente), 4 con tCCD = 4, que no permite Leer o escribir [ya sea sobre la marcha utilizando A12 o MRS] * Datos diferenciales bidireccionales Strobe *Calibración interna (self): Calibración interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%) *Terminación de la matriz con pin ODT *Periodo de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C Garantía 2 Meses

Factor de forma altura estándar de 1,23" Tipo de memoria DDR4 Estándar JEDEC Interfaz 288 contactos Velocidad 2666MHz Latencia CAS CL 19-19-19 Fuente de alimentación VDD y VDDQ = 1,2V±0,06V Fuente de alimentación de activación DRAM VPP= 2.5V (+0,25V / -0,125V) Especificaciones/VCC DRAM DDR4 STD 1,2V Temperaturas de operación 0°C a 85°C

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